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A FuncÆo Resposta (FR) foi desenvolvida para detectores Semicondutores, Ge e Si(Li), usando o método semiempirico. Foi calculada a FR para 4 de HpGe de volumens ativos:89cm3, 50cm3, 8cm3 e 5 cm3, e um de Sil(Li) de 0,143cm3 de volume ativo. O intervalo de energia usado foi de 6 KeV ate 1,5 MeV. A FR foi estudada levando em conta tanto a geometria como a eletrônica de dete‡Æo. Neste trabalho, estruturas para o espalhamento Comptom no cristal do detector foram propostas assim como também espectros usando o metodo de Monte Carlo foram produzidos para o estudo das estruturas de espalhamento nas vizinhan‡as do detector.

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2012-2017:Filosofia e Teologia-Saint Vincent-USA 2003-2008:Pós-Doutorado. Instituto de Pesquisas Energéticas e Nucleares-IPEN-Brasil 1995-2003:Doutorado em Física. Universidade de SÆo Paulo-USP-Brasil. 1990-1995: Gradua‡Æo em Fisica Universidad Nacional de San Agustin-Peru Idiomas: Inglês, português, espanhol e italiano

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